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BUK6D43-60EX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BUK6D43-60EX

1个N沟道 耐压:60V

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描述
N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用中功率 DFN2020MD- 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK6D43-60EX
商品编号
C549795
商品封装
DFN-6-MD(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))32mΩ@10V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)590pF
反向传输电容(Crss)34pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)60pF

数据手册PDF