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BUK6D77-60EX
1个N沟道 耐压:60V 电流:10.6A
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6D77-60EX
- 商品编号
- C549798
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 305pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
最新的800V CoolMOS™ P7系列为800V超结技术树立了新标杆，将一流的性能与先进的易用性相结合，这得益于英飞凌超过18年在超结技术创新方面的开拓。
商品特性
- 扩展温度范围 Tj = 175℃
- 侧面可焊边,便于光学焊料检查
- 静电放电(ESD)保护 >2 kV 人体模型(H2类)
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路
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