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BUK6D72-30EX

30V 11A

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描述: N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用中功率DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称: Nexperia(安世)
商品型号: BUK6D72-30EX
商品编号: C549797
商品封装: DFN-6-MD(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.036克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，基于超结 (SJ) 原理设计。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的继任者，是专门针对移相全桥 (ZVS) 和 LLC 等软开关应用优化的平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 并改善了关断特性，CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑中实现了最高效率。该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计导入过程中易于实施。CoolMOS™ CFD7 技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS™ CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。

商品特性

扩展温度范围 Tj = 175℃
侧面可焊边,便于光学焊料检查
静电放电(ESD)保护 >1 kV 人体模型(HBM,H1C 类)
沟槽 MOSFET 技术
通过 AEC - Q101 认证

应用领域

继电器驱动器
高速线路驱动器
低端负载开关
开关电路

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	11A
	导通电阻(RDS(on))	72mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	15W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	3.3nC@10V
	输入电容(Ciss)	100pF
	反向传输电容(Crss)	19pF
	工作温度	-55℃~+175℃