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BUK6D23-40EX

1个N沟道 耐压:40V 电流:19A

描述
N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK6D23-40EX
商品编号
C549792
商品封装
DFN-6-MD(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.033克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))23mΩ@10V,8A
耗散功率(Pd)15W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.7V
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)582pF@20V
反向传输电容(Crss)58pF@20V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术、中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 扩展温度范围Tj = 175°C
  • 可侧面焊锡浸润,便于光学焊锡检查
  • 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 × 2 × 0.65 mm
  • 沟槽MOSFET技术
  • 通过AEC - Q101认证

应用领域

  • 继电器驱动器
  • 高速线路驱动器
  • 低端负载开关
  • 开关电路

数据手册PDF