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BUK6D38-30EX

1个N沟道 耐压:30V 电流:17A

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描述
N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
BUK6D38-30EX
商品编号
C549793
商品封装
DFN2020MD-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.035833克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)17A
导通电阻(RDS(on))38mΩ@10V,5.5A
耗散功率(Pd)19W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)8nC@15V
输入电容(Ciss)266pF@15V
反向传输电容(Crss)42pF@15V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装N沟道增强型场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 扩展温度范围:结温Tj = 175℃
  • 可侧面焊湿,便于光学焊接检查
  • 小型无引脚超薄SMD塑料封装:尺寸2 × 2 × 0.65 mm
  • 沟槽MOSFET技术
  • 通过AEC - Q101认证

应用领域

-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路

数据手册PDF