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BUK6D120-40EX
1个N沟道 耐压:40V 电流:5.7A
- 描述
- N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用中功率 DFN2020MD- 6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6D120-40EX
- 商品编号
- C549788
- 商品封装
- DFN-6-MD(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.096克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 113pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 扩展温度范围Tj = 175°C
- 可侧焊侧边，便于光学焊料检查
- 静电放电（ESD）保护>1 kV HBM（H1C类）
- 沟槽MOSFET技术
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路