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BUK6610-75C,118
1个N沟道 耐压:75V 电流:78A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6610-75C,118
- 商品编号
- C549778
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.251nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用先进TrenchMOS技术的塑料封装中级栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管(FET)。该产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 额定温度达175°C,适用于对散热有要求的环境
- 适用于中级栅极驱动源
应用领域
- 12 V汽车系统
- 启停微混合动力应用
- 电动和电液动力转向系统
- 变速箱控制
- 发动机、电机、灯具和电磁阀控制管理
- 超高性能功率开关