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BUK6607-55C,118
1个N沟道 耐压:55V 电流:100A
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- 描述
- 采用先进TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑和标准电平栅极驱动N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据适用的AEC Q101标准进行设计和鉴定，适用于高性能汽车应用。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK6607-55C,118
- 商品编号
- C549776
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 158W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.16nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |