- 引脚图
- 焊盘图
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BSS84AKMB,315
P沟道增强型场效应晶体管，采用Trench MOSFET技术，无引脚超小DFN1006B - 3封装，逻辑电平兼容，开关速度快，有ESD保护
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSS84AKMB,315
- 商品编号
- C549762
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 230mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 260pC | |
| 输入电容(Ciss) | 24pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚超小型DFN1006B - 3(SOT883B)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
- 高达1 kV的静电放电(ESD)保护
- 超薄封装,高度仅0.37 mm
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路