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ZB003NG
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，散热性好
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- 描述
- N管/20V/100A/3MΩ/(典型2.3MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZB003NG
- 商品编号
- C53433514
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.184913克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.372nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 890pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于各种应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 100A，RDS(ON) < 2.8mΩ @ VGS = 4.5V（典型值：2.3mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，散热良好
- MSL3