温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ZD015PG-C
P沟道MOSFET采用先进沟槽技术，具备低栅极电荷和出色散热性能
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- P管/40V/40A/15MΩ/(典型10MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZD015PG-C
- 商品编号
- C53433534
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053131克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.119nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -40A，在VGS = -10V时RDS(ON) < 15mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保器件可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 出色的封装，散热良好
- MSL3