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ZD020NG
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，具备低栅极电荷和出色导通电阻，适用于多种应用
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- 描述
- N管/40V/22A/22MΩ/(典型17MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZD020NG
- 商品编号
- C53433520
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.053333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 523pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 62pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 22A，RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = 10V
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择