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ZC011P2G
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低栅极电荷，导通电阻低，散热性好
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- 描述
- P管/30V/40A11MΩ/(典型8.5MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZC011P2G
- 商品编号
- C53433531
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.254002克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 199pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 234pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -40A，在VGS = -10V时RDS(ON) < 11mΩ（典型值：8.5mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保型器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低RDS(ON)
- 封装散热性能良好
- MSL3