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ZD010NG
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻，开关性能优越，适用于高效快速开关应用
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- 描述
- N管/40V/35A/10MΩ/(典型8.5MΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZD010NG
- 商品编号
- C53433521
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.055437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 44W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.205nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术，以最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
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- VDS = 40V，ID = 35A，RDS(ON) = 10mΩ（VGS = 10V）
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- 改进的dv/dt能力
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- 快速开关
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- 100%保证EAS
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- 有绿色环保器件可供选择。