温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4925BDY(TP)
双P沟道增强型MOSFET，具备高开关速度、低栅极电荷和低反向传输电容
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- SI4925BDY(TP)
- 商品编号
- C53340842
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.186167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.169nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- RDS(ON)，VGS = -10V，ID = -7.8A 时小于 27mΩ
- RDS(ON)，VGS = -4.5V，ID = -5A 时小于 38mΩ
- 高开关速度
- 改善的 dv/dt 能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 符合欧盟 RoHS2.0（2011/65/EU 和 2015/865/EU 指令）的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）