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FDME820NZT-TP
N沟道增强型MOSFET，适用于接口开关、DC-DC转换器和电源管理功能，具备ESD保护栅极
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- FDME820NZT-TP
- 商品编号
- C53340884
- 商品封装
- DFN-6(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0154克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- VDs 20 V
- IDs (VGs = 4.5V) 6.5 A
- RDs(ON) (VGs = 4.5V) ≤ 22mΩ
- 典型的ESD保护栅极
应用领域
- 接口开关
- DC-DC转换器
- 电源管理功能