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TPSSM6N7002BFE

双N沟道增强型MOSFET,快速开关,适用于1.5V栅极驱动应用

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商品型号
TPSSM6N7002BFE
商品编号
C53340963
商品封装
SOT-563​
包装方式
编带
商品毛重
0.0261克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))1.8Ω@10V
耗散功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)1.7nC
属性参数值
输入电容(Ciss)27pF
反向传输电容(Crss)2pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)18pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • 快速开关
  • 提供绿色环保器件
  • 适用于1.5V栅极驱动应用

应用领域

  • 笔记本电脑
  • 负载开关
  • 网络设备
  • 手持仪器

数据手册PDF