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MUN5211DW1T1G(TP)
MUN5211DW1T1G
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- MUN5211DW1T1G(TP)
- 商品编号
- C53340904
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 一个封装内集成两个DTC114E晶体管
- 采用外延平面管芯结构
- 内置偏置电阻（R1: 10kΩ，R2: 10kΩ）
- 也有无铅版本可供选择