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TPM60120NHK3G
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM60120NHK3G
- 商品编号
- C53340952
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 181W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.672nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 352pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 392pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- 60V、120A
- RDs(ON) <5.9mΩ（在 VGS = 10V 时）
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的 RDs(ON) 和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理