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DMN2020UFCL-TP实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN2020UFCL-TP

N沟道增强型MOSFET,适用于接口开关、DC-DC转换器和电源管理功能,具备ESD保护栅极

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商品型号
DMN2020UFCL-TP
商品编号
C53340870
商品封装
DFN-6(1.6x1.6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.0156克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th))700mV
栅极电荷量(Qg)10nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.16nF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)200pF
栅极电压(Vgs)±12V

商品特性

  • 漏源电压(VDs)为20V
  • 栅源电压为4.5V时的漏极电流(IDs)为6.5A
  • 栅源电压为4.5V时的导通电阻(RDs(ON)) ≤ 22mΩ
  • 典型的具有ESD保护的栅极

应用领域

  • 接口开关
  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能

数据手册PDF