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DMN24H11DS-TP
N沟道增强型MOSFET，适用于接口开关、DC-DC转换器和电源管理功能
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- DMN24H11DS-TP
- 商品编号
- C53340872
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- VDS 250 V
- IDs (VGs = 10V) 0.3 A
- RDs(ON) (Vgs = 10V) ≤ 3.8Ω (典型值)
应用领域
- 接口开关
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能