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WTM02N65VD
N沟道功率MOSFET,高压段通用,快速开关、低栅极电荷、高雪崩特性，适用于小功率适配器、辅助电源、待机电源
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- 描述
- N沟道高压平面功率MOSFET，额定电压650V/电流2A，导通电阻3.9Ω，栅极电荷仅45nC，低反向传输电容，高速开关性能优异，适用于开关电源、电机控制及DC/DC转换器等应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM02N65VD
- 商品编号
- C53159313
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
WTM02N65VD/VF 是一款高压功率 MOSFET，旨在提供更优异的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高鲁棒性雪崩特性。该功率 MOSFET 通常用于电源、PWM 电机控制、高效 DC-DC 转换器和桥式电路中的高速开关应用。
商品特性
- 在 VGS = 10V， ID = 1.0A 条件下，RDS(ON) ≤ 5.0 Ω
- 超低栅极电荷（典型值 45nC）
- 低反向传输电容（CRSS 典型值 9 pF）
- 快速开关能力
- 指定雪崩能量
- 改进的 dv/dt 能力，高鲁棒性