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WTM20N06VD
N沟道增强型功率MOSFET，具备低导通电阻和出色开关性能，适用于低压应用
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- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N06VD
- 商品编号
- C53159370
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
WTM20N06VD/F是一款采用先进技术的N沟道增强型功率MOSFET，旨在为客户提供最低的通态电阻和卓越的开关性能。它还能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。该器件普遍适用于低压应用，例如汽车领域、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。WTM20N06VD/F符合ROHS和无铅产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 封装优良，散热性能好。
- 超低栅极电荷。
- 低反向传输电容。
- 快速开关能力。
- 雪崩能量有规定。