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WTM50N06VD
N沟道增强型功率MOSFET，具备低导通电阻和卓越开关性能，适用于低功率开关模式电器和电子镇流器
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- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM50N06VD
- 商品编号
- C53159371
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.393克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 181pF |
商品概述
WTM50N06VD/F是一款采用先进技术的N沟道功率MOSFET，可为客户提供极低的导通电阻和卓越的开关性能。该器件通常应用于低功率开关模式电源设备和电子镇流器。WTM50N06VD/F符合ROHS和绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 15 mΩ @ VGS=10V， ID=25A
- RDS(ON) ≤ 20 mΩ @ VGS=4.5V， ID=25A
- 高开关速度
- 增强的dv/dt能力
应用领域
- 低功率开关模式电源设备
- 电子镇流器