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WTM80N06VD
N沟道增强型功率MOSFET，低导通电阻、高开关速度，适用于有源功率因数校正等
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- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM80N06VD
- 商品编号
- C53159372
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 240pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
WTM80N06VD/F是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进技术，为客户提供极低的导通电阻和高速开关性能。它还能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。WTM80N06VD/F适用于有源功率因数校正、高效开关模式电源以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
商品特性
- 在VGS=10V、ID=40A条件下，导通电阻RDS(ON) ≤ 8.5mΩ
- 高开关速度
- 增强的dv/dt耐受能力