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WTM05N50VD
N沟道功率MOSFET，采用平面条纹和DMOS技术，具备低导通电阻和高开关性能，能承受高能量脉冲
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- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:500V 电流:5A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM05N50VD
- 商品编号
- C53159315
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 625pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
WTM05N50VD/F是一款采用先进技术的N沟道功率MOSFET，该技术结合了平面条状和DMOS工艺，旨在实现极低的导通电阻和卓越的开关性能。该器件还能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。
商品特性
- 在VGS = 10 V， ID = 2.5 A条件下，RDS(ON) < 1.4Ω
- 经过100%雪崩测试
- 高开关速度