温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WTM07N65VD
高压功率MOSFET，具备快速开关、低栅极电荷、低导通电阻和高雪崩特性，适用于高速开关应用
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:500V 电流:7A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM07N65VD
- 商品编号
- C53159367
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.52Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF |
商品概述
WTM07N65VD/F是一款高压功率MOSFET，它结合了先进的平面MOSFET设计，旨在具备更优异的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒的雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在VGS=10V、ID=3A条件下，RDS(ON) ≤ 1.52Ω
- 快速开关能力
- 雪崩能量经过测试
- 改进的dv/dt能力，高鲁棒性