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WTM20N03VD
N沟道功率MOSFET,低压段通用,逻辑电平驱动、低导通电阻、低栅极电荷，适用于降压转换器、负载开关、便携设备
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- 描述
- N沟道增强型功率MOSFET，额定电压30V/电流20A，导通电阻15.5mΩ，逻辑电平驱动，低栅极电荷×导通电阻乘积优，适用于快速开关降压转换器等应用，工作温度可达175℃。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N03VD
- 商品编号
- C53159368
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 环境工作温度：175°C
- 低漏源电阻和低导通电阻
- 逻辑电平
- 完美的栅电荷×RDS(ON)乘积
- 优异的热阻
- 雪崩额定
- 指定dv/dt
- 适用于快速开关降压转换器