温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WTM20N03VD
符合ROHS和绿色产品要求的N沟道增强型功率MOSFET，具有低导通电阻、逻辑电平、低栅极电荷等特性，适用于快速开关降压转换器
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:30V 电流:20A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM20N03VD
- 商品编号
- C53159368
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
商品特性
- 环境工作温度：175°C
- 低漏源电阻和低导通电阻
- 逻辑电平
- 完美的栅电荷×RDS(ON)乘积
- 优异的热阻
- 雪崩额定
- 指定dv/dt
- 适用于快速开关降压转换器