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WTM30N02VD
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻，低栅极电荷，适用于多种应用
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- 描述
- 平面 TO-252 1个N沟道 耐压:20V 电流:30A
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM30N02VD
- 商品编号
- C53159369
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.381克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
WTM30N02VD采用先进沟槽技术和设计，提供优异的导通电阻与低栅极电荷。它适用于多种应用。该器件符合ROHS及绿色产品要求，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 电池开关
- 负载开关
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性表征
- 稳定性与均匀性良好，雪崩能量高
- 封装优异，散热性能好
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 开关电源及通用应用
- 硬开关及高频电路
- 不间断电源