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WTM07N50VD
N沟道功率MOSFET,高压段通用,快速开关、低栅极电荷、高雪崩特性，适用于紧凑型电源、适配器、辅助电源
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- 描述
- N沟道平面功率MOSFET，额定电压500V/电流7A，导通电阻1.15Ω，开关特性优良，雪崩能量测试通过，适用于高速开关电源及适配器等应用。
- 品牌名称
- WPMtek(维攀)
- 商品型号
- WTM07N50VD
- 商品编号
- C53159366
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.394克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 58W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 641pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
WTM07N50VD/F是一款高压功率MOSFET，它结合了先进的平面MOSFET设计，旨在提供更优异的特性，例如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒性雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用。
商品特性
- 在VGS=10V，ID=3.5A条件下，RDS(ON) ≤ 1.15Ω
- 在VGS=10V，ID=1.0A条件下，RDS(ON) ≤ 0.85Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改进的dv/dt能力，高鲁棒性