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GT2K2P15K
P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-13A@@阈值电压(Vgs(th))：-4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：195mΩ@10V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT2K2P15K
- 商品编号
- C53100845
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 195mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT2K2P15K采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压(Vds):-150V
- 漏极电流 ID(VGS = -10 V 时):-13A
- 导通电阻 RDS(ON)(VGS = -10V 时):< 235mΩ
- 100% 雪崩测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC 转换器