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G060N03K
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：30V@@连续漏极电流(Id)：88A@@阈值电压(Vgs(th))：2.4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：4.1mΩ@10V 6.1mΩ@4.5V @@封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G060N03K
- 商品编号
- C53100868
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 88A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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