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GT1K2N10H
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：4.5A@@阈值电压(Vgs(th))：2.2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：89mΩ@10V 109mΩ@4.5V @@封装：SOT-223
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT1K2N10H
- 商品编号
- C53100849
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 89mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 145pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT1K2N10H采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 100V
- ID(VGS = 10 V时)4.5A
- RDS(ON)(VGS = 10V时)< 110mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 135 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器