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GT1K2N10H
GT1K2N10H
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：100V@@连续漏极电流(Id)：4.5A@@阈值电压(Vgs(th))：2.2V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：89mΩ@10V 109mΩ@4.5V @@封装：SOT-223
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT1K2N10H
- 商品编号
- C53100849
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
GT1K2N10H采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS 100V
- ID(VGS = 10 V时)4.5A
- RDS(ON)(VGS = 10V时)< 110mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 135 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器