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G160C04Y
N沟道和P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：40V/-40V@@连续漏极电流(Id)：25A/-12A@@阈值电压(Vgs(th))：2V/-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：11mΩ/28mΩ@10V 15mΩ/25mΩ@4.5V @@封装：TO-252-4 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G160C04Y
- 商品编号
- C53100866
- 商品封装
- TO-252-4D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W；40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC；25nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1nF；1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF；100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF；110pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
G160C04Y采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用。
商品特性
- NMOS
- VDS 40V
- ID(VGS = 10 V时)25A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 14 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 19 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- VDS -40V
- ID(VGS = -10 V时)-12A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时)< 35 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 45 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器
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