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G160C04Y
G160C04Y
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- 描述
- 类型：N+P沟道@@漏源电压(Vdss)：40V/-40V@@连续漏极电流(Id)：25A/-12A@@阈值电压(Vgs(th))：2V/-2.5V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：11mΩ/28mΩ@10V 15mΩ/25mΩ@4.5V @@封装：TO-252-4 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G160C04Y
- 商品编号
- C53100866
- 商品封装
- TO-252-4DUAL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
G160C04Y采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用。
商品特性
- NMOS
- VDS 40V
- ID(VGS = 10 V时)25A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 14 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 19 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- VDS -40V
- ID(VGS = -10 V时)-12A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时)< 35 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 45 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器
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