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GT007N04D5C
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：40V@@连续漏极电流(Id)：350A@@阈值电压(Vgs(th))：2.4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：0.72mΩ@10V 1.4mΩ@4.5V @@封装：DFN-8L(5x6)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT007N04D5C
- 商品编号
- C53100861
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.72mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 165pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.9nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
GT007N04D5C采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):40V
- 漏极电流(ID,栅源电压VGS = 10V时):350A
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 10V时):0.85mΩ
- 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = 4.5V时):1.75mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器