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GC380N60D5E
N沟道增强型功率MOSFET，采用先进超结技术和设计，适用于AC-DC开关电源、功率转换和工业电源应用
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- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：600V@@连续漏极电流(Id)：11A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：325mΩ@10V @@封装：DFN-8L(5x6)
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC380N60D5E
- 商品编号
- C53100862
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 325mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 82W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 19pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
GC380N60D5E采用先进的超结技术和设计,可提供出色的导通电阻(RDS(on))、低栅极电荷和稳定的运行性能。该器件适用于工业AC-DC开关电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)、AC/DC电源转换和工业电源应用需求。
商品特性
- 漏源电压(VDS):600V
- 漏极电流(ID,VGS = 10V时):11A
- 导通电阻(RDS(ON),VGS = 10V时):< 380mΩ
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 静电放电(HBM):6.5KV
应用领域
-功率开关-DC/DC转换器