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GT036P06M
P沟道增强型功率MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻，低栅极电荷
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- 描述
- 类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-60V@@连续漏极电流(Id)：-180A@@阈值电压(Vgs(th))：-3V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.7mΩ@10V 5mΩ@4.5V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT036P06M
- 商品编号
- C53100857
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.706克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 325W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 198nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 12.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.7nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |