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GT043N15M
GT043N15M
- 描述
- 类型：N沟道@@漏源电压(Vdss)：150V@@连续漏极电流(Id)：143A@@阈值电压(Vgs(th))：4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：4.3mΩ@10V @@封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT043N15M
- 商品编号
- C53100855
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.692克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体公司先进的功率沟槽工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS:150V
- ID(VGS=10V 时):143A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时):5.3mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器