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MDD2002KDW
SOT-363封装20V N沟道增强型MOSFET，适用于便携式设备负载开关和DC/DC转换器
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- 描述
- 20V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2002KDW
- 商品编号
- C53069225
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 静电防护:2 kV
应用领域
-便携式设备负载开关-DC/DC转换器