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MDD06P03C
P沟道增强型MOSFET，低导通电阻、快速开关且雪崩特性出色
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- 描述
- -30V P通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD06P03C
- 商品编号
- C53069233
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0342克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 890pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 111pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
这款30V P沟道MOSFET旨在实现低导通电阻RDS(ON)、快速开关和出色的雪崩特性。
商品特性
- 采用高密单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
- 便携式设备负载开关
- 电池供电系统
- DC-DC转换器
- LCD显示器逆变器
- 便携式设备
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