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MDDG04R06Q
MDDG04R06Q
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- 描述
- 40V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG04R06Q
- 商品编号
- C53069236
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09992克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
GT043N15Q采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：150V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS）=10V时）：180A
- 导通态漏源电阻（RDS(ON)）（栅源电压（VGS）=10V时）：5mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器