温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MDDG04R06Q
N沟道增强型MOSFET，采用先进功率沟槽工艺与屏蔽栅技术，适用于同步整流、电机驱动等
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 40V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG04R06Q
- 商品编号
- C53069236
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09992克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 875pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 524pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了MDD半导体先进的功率沟槽工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大 RDS(on) = 5.5 m Ω
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 经过100%漏源电压变化率测试
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器-直流到直流转换器