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MDDG04R06Q
MDDG04R06Q
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- 描述
- 40V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG04R06Q
- 商品编号
- C53069236
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09992克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用了MDD半导体先进的功率沟槽工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大 RDS(on) = 5.5 m Ω
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
- 经过100%漏源电压变化率测试
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器-直流到直流转换器