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MDD68N10D
N沟道增强型功率MOSFET，优化导通电阻，具备出色开关性能和软体二极管
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- 描述
- 100V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD68N10D
- 商品编号
- C53069242
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45796克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.645nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 743pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD先进的功率沟槽技术制造。该工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大RDS(on) = 9 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qg
- 经过100% UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电信、工业自动化领域的电源管理
- 电机驱动和不间断电源
- DC/DC和AC/DC(SR)子系统中的电流切换
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