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MDD05N40A
N沟道增强型MOSFET，具有快速开关和出色的雪崩特性，适用于便携式设备负载开关等应用
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- 描述
- 40V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD05N40A
- 商品编号
- C53069226
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 370pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款40V N沟道MOSFET基于独特的器件设计,可实现低RDS(ON)、快速开关和出色的雪崩特性。
商品特性
- 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-便携式设备负载开关-电池供电系统-DC-DC转换器-LCD显示器逆变器-便携式设备