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MDD2002KT
MDD2002KT
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- 描述
- 20V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2002KT
- 商品编号
- C53069231
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0236克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款20V N沟道MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻（RDson）、快速开关和良好的静电放电（ESD）额定性能。
商品特性
- 漏源电压（VDS）=20V，漏极电流（ID）=0.75A，栅源电压（VGS）=4.5V时，导通电阻（RDS(on)）典型值=250mΩ
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 符合人体模型，JESD22 - A114 - B标准的2类静电放电（ESD）额定值。
应用领域
- 便携式设备的负载开关-电池供电系统-DC-DC转换器-LCD显示器逆变器