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MDD2002KT
N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻、快速开关和良好的ESD额定性能
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- 描述
- 20V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDD2002KT
- 商品编号
- C53069231
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0236克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
这款20V N沟道MOSFET基于独特的器件设计,实现了低导通电阻(RDson)、快速开关和良好的静电放电(ESD)额定性能。
商品特性
- 漏源电压(VDS)=20V,漏极电流(ID)=0.75A,栅源电压(VGS)=4.5V时,导通电阻(RDS(on))典型值=250mΩ
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 符合人体模型,JESD22 - A114 - B标准的2类静电放电(ESD)额定值。
应用领域
-便携式设备的负载开关-电池供电系统-DC-DC转换器-LCD显示器逆变器