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BSS138W
60V N沟道增强型MOSFET，具备低导通电阻、快速开关和良好的ESD额定性能
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- 描述
- 60V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- BSS138W
- 商品编号
- C53069222
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款 60V N 沟道 MOSFET 基于独特的器件设计,可实现低导通电阻(RDson)、快速开关和良好的静电放电(ESD)额定性能。
商品特性
- 漏源电压(VDS)=60V,漏极电流(ID)=0.3A,栅源电压(VGS)=10V 时,导通电阻(RDS(on))典型值为 1.8Ω
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 符合人体模型的 JESD22 - A114 - B 标准,ESD 等级为 2 级
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 电池供电系统
- DC - DC 转换器
- LCD 显示器逆变器