IRL2910STRRPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRL2910STRRPBF
- 商品编号
- C538112
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 140nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第五代HEXFET采用先进的制造工艺，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的所有表面贴装封装中，它具备最高的功率承载能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 对于低外形应用，还提供通孔版本（IRL2910L）。
商品特性
-逻辑电平栅极驱动-表面贴装-先进的工艺技术-超低导通电阻-动态dv/dt额定值-快速开关-全雪崩额定-无铅