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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IR2308SPBF

IR2308SPBF

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商品型号
IR2308SPBF
商品编号
C537629
商品封装
SOIC-8​
包装方式
管装
商品毛重
0.199克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型IGBT;MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)350mA
属性参数值
拉电流(IOH)200mA
工作电压10V~20V
上升时间(tr)150ns
下降时间(tf)50ns
工作温度-40℃~+150℃@(Tj)

商品概述

IR2308(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,可低至 3.3V 逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT,最高可承受 600 伏电压。

商品特性

  • 浮动通道专为自举操作设计,可在高达 +600V 电压下完全正常工作,耐受负瞬态电压,抗 dV/dt 干扰
  • 栅极驱动电源范围为 10 至 20V
  • 双通道欠压锁定
  • 与 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容
  • 交叉导通预防逻辑
  • 双通道传播延迟匹配
  • 输出与输入同相
  • 逻辑地和功率地偏移 +/-5V
  • 内部死区时间为 540ns
  • 较低的 di/dt 栅极驱动器,具有更好的抗噪性
  • 也提供无铅版本

数据手册PDF