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IPD65R225C7
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- CoolMOS是高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C7系列融合了领先超结MOSFET供应商的经验与卓越创新。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，能提供更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性出众
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD65R225C7
- 商品编号
- C536846
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 225mΩ@10V,4.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 996pF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | 313pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司率先推出。 CoolMOS C7系列融合了领先的超结MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该产品组合具备快速开关超结MOSFET的所有优势，可实现更高效率、更低栅极电荷、易于应用且可靠性卓越。
商品特性
- 增强MOSFET的dv/dt鲁棒性
- 凭借同类最佳的品质因数RDS(on) * Eoss和RDS(on) * Qg实现更高效率
- 同类最佳的RDS(on)/封装
- 易于使用/驱动
- 无铅电镀，无卤模塑料
- 通过JEDEC（J-STD20和JESD22）工业级应用认证
应用领域
- 例如计算机、服务器、电信、UPS和太阳能等领域的PFC级和硬开关PWM级。