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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS™ CE 是一个经过性价比优化的平台，能够在满足最高效率标准的同时，瞄准消费和照明市场中对成本敏感的应用。该新系列具备快速开关超结 MOSFET 的所有优势，同时不牺牲易用性，并且在市场上提供最佳的降本性能比。
商品特性
- 由于极低的品质因数 Rdson*Qg 和 Eoss,损耗极低
- 极高的换向耐用性
- 易于使用/驱动
- 无铅镀层,无卤模塑料
- 适用于标准等级应用
应用领域
- 例如 PC 主机、适配器、液晶和等离子电视以及室内照明等设备的 PFC 级、硬开关 PWM 级和谐振开关级。