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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 8V~18V | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；短路保护(SCP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 5uA |
商品概述
BTM7752G是一款用于电机驱动应用的全集成大电流H桥。它在一个封装内集成了两个p沟道高端MOSFET、两个n沟道低端MOSFET和一个驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需电荷泵，从而将电磁干扰（EMI）降至最低。集成的驱动IC具备逻辑电平输入、带电流检测的诊断功能、死区时间生成以及过温、过压、欠压、过流和短路保护功能，便于与微控制器连接。 BTM7752G为受保护的大电流PWM电机驱动器提供了一种优化解决方案，占用的电路板空间非常小。
商品特性
- 集成大电流H桥
- 150℃时最大导通电阻为295 mΩ（25℃时典型值为150 mΩ）
- 25℃时典型静态电流为5 μA
- 高达25 kHz的PWM能力，结合有源续流功能
- 典型电流限制值为12 A（最小值为8 A）
- 带逻辑输入的驱动电路
- 带电流检测功能的状态标志诊断
- 具有锁存功能的过温关断
- 过压锁定
- 欠压关断
- 开关模式电流限制，可降低过流情况下的功耗
- 集成死区时间生成
- 最高工作电压可达28V
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 通过AEC认证